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電機(jī)節(jié)能技術(shù)讓電動汽車更環(huán)保
自《巴黎協(xié)定》推行簽署以來，全球經(jīng)濟(jì)脫碳已成共識。而在全球石油消耗的總量中，交通運(yùn)輸占據(jù)了10%以上，其中公路交通為主要占比。因此推動傳統(tǒng)燃油汽車向新能源汽車轉(zhuǎn)型，是實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排的重要途徑之一。據(jù)IHS預(yù)測，要達(dá)到2050年凈零排放的目標(biāo)，2030年汽車電氣化的占比就應(yīng)達(dá)到60%以上。
2023-02-13
電機(jī) 節(jié)能技術(shù) 電動汽車
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5V供電CAN器件和3.3V供電MCU之間的通訊
目前市場上最常用的CAN通訊接口器件大多都是采用5V供電，而大部分的MCU供電電壓卻從5V降低到了3.3V供電，這樣就會造成5V CAN通訊接口器件和3.3V MCU進(jìn)行通訊時的接口電平不一致問題，本文針對這種應(yīng)用提出幾種5V供電CAN器件和3.3V供電MCU之間的連接方式，并給出了川土微電子產(chǎn)品的具體應(yīng)用案例。
2023-02-10
CAN器件 MCU 通訊
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新型整車控制器關(guān)鍵技術(shù)分析
從汽車電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化、共享化的角度闡述了新型整車控制器關(guān)鍵技術(shù)需求，包括高計算性能、高通訊帶寬、高功能安全性、軟件持續(xù)更新。針對上述需求總結(jié)了以太網(wǎng)、CANFD、多核芯片、雙核心、OTA關(guān)鍵技術(shù)行業(yè)現(xiàn)狀，對未來發(fā)展趨勢進(jìn)行了展望。
2023-02-10
整車控制器 技術(shù)分析
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貿(mào)澤與Yazaki Corporation簽訂全球分銷協(xié)議 向用戶提供高品質(zhì)車用元器件
專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Yazaki Corporation簽訂了全球分銷協(xié)議。Yazaki Corporation是全球知名制造商，主要致力于連接器、線束、儀表以及其他高品質(zhì)車用產(chǎn)品。
2023-02-09
貿(mào)澤 Yazaki 車用元器件
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如何使用隔離運(yùn)算放大器構(gòu)建電源環(huán)路補(bǔ)償
誤差放大器作為開關(guān)電源中的重要器件，對開關(guān)電源環(huán)路進(jìn)行補(bǔ)償，開關(guān)電源的輸出的精度和響應(yīng)速度有著重要作用。本文首先將光耦+TL431 和 CA-IS3102W 進(jìn)行了對比，闡述了川土微電子CA-IS3102W在開關(guān)電源應(yīng)用中的優(yōu)勢，給出了典型應(yīng)用中的一些方法和建議。
2023-02-08
隔離運(yùn)算放大器 電源環(huán)路補(bǔ)償
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滿足電子化需求的汽車應(yīng)用解決方案
隨著汽車朝向電子化發(fā)展，無論是傳統(tǒng)燃油車還是混合／純電動車，都使用越來越多的電子零部件，使得汽車應(yīng)用市場蓬勃發(fā)展，也為電子產(chǎn)業(yè)帶來龐大的商機(jī)。本文將為您簡介汽車應(yīng)用市場的發(fā)展，以及由Nexperia所推出的解決方案。
2023-02-08
電子化 汽車 解決方案
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防靜電和浪涌TVS layout設(shè)計要點(diǎn)
剛看過了CES2023，雷卯的外貿(mào)伙伴們看了最新的AR,VR,5G產(chǎn)品，新的電子產(chǎn)品更智能、更復(fù)雜，嵌入了脆弱和敏感的集成電路。這些設(shè)備的環(huán)境往往很惡劣，產(chǎn)生高水平靜電和快速瞬態(tài)浪涌。這些ESD事件可能會干擾設(shè)備，從故障到集成電路的破壞。
2023-02-07
浪涌 TVS 設(shè)計要點(diǎn)
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貿(mào)澤電子新品推薦：2022年第四季度推出超過12000個新物料
致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) ，首要任務(wù)是提供來自1200多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2023-02-06
貿(mào)澤電子 連接器 光耦合器
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴(kuò)大。其中一個主要原因是與以前的功率半導(dǎo)體相比，SiC MOSFET 使得高速開關(guān)動作成為可能。但是，由于開關(guān)的時候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電...
2023-02-06
碳化硅 MOSFET 尖峰
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