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啟動(dòng)期間轉(zhuǎn)換器上的負(fù)載減少浪涌電流
減少浪涌電流的另一種方法是減少啟動(dòng)期間轉(zhuǎn)換器上的負(fù)載。這降低了浪涌電流中與負(fù)載相關(guān)的部分，并且僅留下由輸入濾波電容引起的部分。減載的基本方式有兩種：輸出軟啟動(dòng)和輸出負(fù)載切換。
2023-10-11
轉(zhuǎn)換器 浪涌電流
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氮化鎵在采用圖騰柱 PFC 的電源設(shè)計(jì)中達(dá)到高效率
幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都涉及交流/直流電源，這些系統(tǒng)從交流電網(wǎng)獲得能量，并將經(jīng)過妥善調(diào)節(jié)的直流電壓輸送到電氣設(shè)備。隨著全球功耗增加，交流/直流電源轉(zhuǎn)換過程中的相關(guān)能量損耗，成為電源設(shè)計(jì)人員整體能源成本考慮的重要部份，特別是高耗電電信和服務(wù)器應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員。
2023-10-10
氮化鎵 圖騰柱 PFC 電源設(shè)計(jì)
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高壓數(shù)字控制應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)安全隔離與低功耗的解決方案
在高壓應(yīng)用中，實(shí)現(xiàn)有效的電氣隔離至關(guān)重要，它可以避免多余的漏電流在系統(tǒng)中具有不同地電位（GPD）的兩個(gè)部分之間流動(dòng)[1]。如圖1（左）所示，從輸入到輸出的DC返回電流可能導(dǎo)致兩個(gè)接地之間產(chǎn)生電位差，從而導(dǎo)致信號(hào)完整性降低、質(zhì)量下降。這就是隔離器（即隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器IC[2]或數(shù)字隔離器）的...
2023-10-10
高壓應(yīng)用 解決方案 電氣隔離
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半導(dǎo)體功率器件的無鉛回流焊
半導(dǎo)體器件與 PCB 的焊接歷來使用錫/鉛焊料，但根據(jù)環(huán)境法規(guī)的要求，越來越多地使用無鉛焊料來消除鉛。大多數(shù)適合這些應(yīng)用的無鉛焊料是具有較高熔點(diǎn)的錫/銀合金，相應(yīng)地具有較高的焊料回流溫度。
2023-10-09
半導(dǎo)體 功率器件 無鉛回流焊
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如何在大功率應(yīng)用中減少損耗、提高能效并擴(kuò)大溫度范圍
功耗密集型應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要更小、更輕、更節(jié)能的電源轉(zhuǎn)換器，能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動(dòng)汽車 (EV) 等應(yīng)用中尤其如此，若能實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)，可加快充電速度、延長續(xù)航里程。為了實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)，設(shè)計(jì)人員目前使用基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的電源轉(zhuǎn)換器，例如碳化硅 (SiC) 電源轉(zhuǎn)換器。
2023-10-08
大功率應(yīng)用 損耗 溫度范圍
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通過 SPICE 仿真預(yù)測 VDS 開關(guān)尖峰
電源行業(yè)的主要目標(biāo)之一是為數(shù)據(jù)中心和5G等應(yīng)用中的電源設(shè)備帶來更高的電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度。與具有單獨(dú)驅(qū)動(dòng)器 IC 的傳統(tǒng)分立 MOSFET 相比，將驅(qū)動(dòng)器電路和功率 MOSFET（稱為 DrMOS）集成到 IC 中可提高功率密度和效率。
2023-10-07
SPIC 仿真 VDS 開關(guān)
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電動(dòng)汽車熱和集成挑戰(zhàn)
到目前為止，我們提到的每一種趨勢都帶來了獨(dú)特的技術(shù)挑戰(zhàn)。對于更高集成度的解決方案，主要挑戰(zhàn)在于創(chuàng)建節(jié)能解決方案。具體來說，隨著高性能組件之間的集成變得更加緊密，對熱密度的擔(dān)憂開始威脅到設(shè)備的可靠性?？刂茻崃啃枰吣苄О雽?dǎo)體，將少的功率轉(zhuǎn)化為熱量。因此，業(yè)界正在采用SiC MOSFET代...
2023-09-27
電動(dòng)汽車 熱 集成
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D 類音頻放大器：什么、為什么以及如何
D類音頻放大器近年來越來越出名。本文將介紹 D 類音頻放大器的內(nèi)容、原因和方法。本文還將介紹音頻放大器的背景以及 D 類放大器的優(yōu)點(diǎn)以及與其他放大器的一些比較。
2023-09-27
D 類音頻放大器 音頻放大器 便攜式設(shè)備
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半導(dǎo)體器件擊穿機(jī)理分析及設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
在日常的電源設(shè)計(jì)中，半導(dǎo)體開關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計(jì)是工程師不得不面對的問題，本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機(jī)制，以及在設(shè)計(jì)應(yīng)用中注意事項(xiàng)。
2023-09-25
半導(dǎo)體器件 擊穿機(jī)理 注意事項(xiàng)
- 音頻放大器的 LLC 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
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