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【收藏】運(yùn)算放大器的低功耗設(shè)計(jì)攻略
首先，我們會(huì)討論具有低靜態(tài)電流 (IQ) 的放大器以及增加反饋網(wǎng)絡(luò)電阻值與功耗的關(guān)系。
2022-02-10
運(yùn)算放大器 低靜態(tài)電流
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LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)穩(wěn)健型同步整流解決方案
為了理解這種技術(shù)，讓我們回顧一些為LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)穩(wěn)健型同步整流解決方案時(shí)遇到的挑戰(zhàn)。在其最簡(jiǎn)單的層面上，同步整流需要金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）仿真二極管的行為。簡(jiǎn)言之，當(dāng)電流擬從正極流向負(fù)極時(shí)，MOSFET導(dǎo)通。一旦電流開始從負(fù)極流向正極，則MOSFET關(guān)斷。
2022-02-09
LLC轉(zhuǎn)換器 穩(wěn)健型同步整流
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LDO如何更加功效
隨著物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 不斷占領(lǐng)于我們的住宅和辦公場(chǎng)所，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)越來越多的電器和系統(tǒng)集成了電子元器件，而且我們能夠在世界上的任何一個(gè)角落訪問這些電器和系統(tǒng)。不過，由于有如此之多的設(shè)備被連接到我們的住宅和辦公室，我們消耗了難以計(jì)數(shù)的待機(jī)電能。
2022-02-08
LDO 物聯(lián)網(wǎng)
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可編程輸入倍頻法如何減少整數(shù)邊界雜散
您曾設(shè)計(jì)過具有分?jǐn)?shù)頻率合成器的鎖相環(huán)（PLL）嗎？這種合成器在整數(shù)通道上看起來很棒，但在只稍微偏離這些整數(shù)通道的頻率點(diǎn)上雜散就會(huì)變得高很多，是吧？如果是這樣的話，您就已經(jīng)遇到過整數(shù)邊界雜散現(xiàn)象了 —— 該現(xiàn)象發(fā)生在載波的偏移距離等于到最近整數(shù)通道的距離時(shí)。
2022-02-08
可編程輸入倍頻法 整數(shù)邊界雜散
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如何仿真轉(zhuǎn)換器的數(shù)字輸入／輸出
對(duì)于SAR-ADC的仿真比較復(fù)雜。目前來看，還沒有準(zhǔn)確模擬整個(gè)器件的完整轉(zhuǎn)換器模型?，F(xiàn)有資源是一個(gè)仿真模擬輸入引腳穩(wěn)定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶就有了一款強(qiáng)大工具，使用戶能夠解決其中一個(gè)最關(guān)鍵、最棘手的轉(zhuǎn)換器問題。
2022-02-08
仿真轉(zhuǎn)換器 數(shù)字輸入／輸出
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針對(duì)SiC串?dāng)_抑制方法的測(cè)試報(bào)告
近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因其具有高開關(guān)頻率、高開關(guān)速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關(guān)速度加快，橋式電路受寄生參數(shù)影響加劇，串?dāng)_現(xiàn)象更加嚴(yán)重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負(fù)向安全電壓較小，串?dāng)_問...
2022-02-08
SiCMOSFET 串?dāng)_抑制
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Bourns宣布IsoMOV? 保護(hù)器榮獲 2021 年度電子產(chǎn)品無源產(chǎn)品獎(jiǎng)
Bourns宣布，其 IsoMOV? 保護(hù)器贏得了2021 年度電子產(chǎn)品無源產(chǎn)品獎(jiǎng)。Bourns? IsoMOV ? 混合保護(hù)組件被選為 MOV 設(shè)備設(shè)計(jì)的重大突破。完全集成的 GDT 和 MOV 混合設(shè)計(jì)提供了一種創(chuàng)新的保護(hù)解決方案，可解決 MOV 退化問題，同時(shí)顯著提高浪涌性能、使用壽命和設(shè)備可靠性。
2022-02-07
Bourns IsoMOV? 保護(hù)器 無源產(chǎn)品獎(jiǎng)
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貿(mào)澤電子新品推薦：2021全年推出近70000個(gè)新物料
致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子， 首要任務(wù)是提供來自1200多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2022-01-27
貿(mào)澤電子 新物料
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在當(dāng)今高壓半導(dǎo)體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測(cè)量
在經(jīng)過多年研究和設(shè)計(jì)之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來越實(shí)用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來了許多挑戰(zhàn)，包括柵極驅(qū)動(dòng)要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負(fù)偏置電壓時(shí)會(huì)關(guān)閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴(yán)格的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點(diǎn)，...
2022-01-27
高壓半導(dǎo)體器件 擊穿電壓 漏流測(cè)量
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