- 可以精確表達(dá)兩個(gè)晶體管之間的相互作用
- 使設(shè)計(jì)高精度電路成為可能
- 電路設(shè)計(jì)
廣島大學(xué)HiSIM研究中心的研究小組開(kāi)發(fā)了IGBT（insulated gate bipolar transistor）電路設(shè)計(jì)和檢測(cè)用模型“HiSIM-IGBT”，并于近日在該大學(xué)向新聞媒體作了發(fā)布。并披露，已經(jīng)面向車(chē)載集成電路設(shè)計(jì)人員等公開(kāi)了該模型。
發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng) 右邊是廣島大學(xué)的三浦道子（研究生院尖端物質(zhì)科學(xué)研究科教授兼HiSIM研究中心中心負(fù)責(zé)人）
廣島大學(xué)從2005年開(kāi)始就一直與豐田和豐田中央研究所共同研究普通車(chē)載用IGBT（insulated gate bipolar transistor）的模型。IGBT組合使用了雙極晶體管和MOSFET，而聯(lián)合研究小組則推導(dǎo)出可不分離這兩個(gè)晶體管,而整體模擬IGBT的模型公式，從而開(kāi)發(fā)出了HiSIM-IGBT。制成一體化模型是為了精確表達(dá)兩個(gè)晶體管之間的相互作用。
IGBT和HiSIM-IGBT
HiSIM-IGBT以廣島大學(xué)和半導(dǎo)體理工學(xué)研究中心（STARC）聯(lián)合開(kāi)發(fā)的MOSFET模型“HiSIM（Hiroshima-university STARC IGFET Model）”為骨架，并統(tǒng)合了雙極晶體管模型。據(jù)介紹，采用HiSIM-IGBT使設(shè)計(jì)高精度電路成為可能，有望大幅推進(jìn)能源利用的高效率化。
HiSIM系列的標(biāo)準(zhǔn)化動(dòng)向
模型的精度和穩(wěn)定性評(píng)測(cè)已完成，已達(dá)到可公開(kāi)的程度。據(jù)稱(chēng)，有為模型做嵌入式評(píng)測(cè)的EDA工具供應(yīng)商已表示，即便是大電流電路和大電壓電路，也可以穩(wěn)定預(yù)測(cè)特性。廣島大學(xué)打算通過(guò)發(fā)布該模型，使更多的用戶(hù)利用，以便進(jìn)一步改進(jìn)。
