【導(dǎo)讀】交流 C-V 測(cè)試可以揭示材料的氧化層厚度，晶圓工藝的界面陷阱密度，摻雜濃度，摻雜分布以及載流子壽命等，通常使用交流 C-V 測(cè)試方式來評(píng)估新工藝，材料， 器件以及電路的質(zhì)量和可靠性等。
交流 C-V 測(cè)試可以揭示材料的氧化層厚度，晶圓工藝的界面陷阱密度，摻雜濃度，摻雜分布以及載流子壽命等，通常使用交流 C-V 測(cè)試方式來評(píng)估新工藝，材料， 器件以及電路的質(zhì)量和可靠性等。比如在 MOS 結(jié)構(gòu)中， C-V 測(cè)試可以方便的確定二氧化硅層厚度 dox、襯底 摻雜濃度 N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度 Q1、和固定電 荷面密度 Qfc 等參數(shù)。
C-V 測(cè)試要求測(cè)試設(shè)備滿足寬頻率范圍的需求，同時(shí)連線簡(jiǎn)單，系統(tǒng)易于搭建，并具備系統(tǒng)補(bǔ)償功能，以補(bǔ)償系統(tǒng)寄生電容引入的誤差。
進(jìn)行 C-V 測(cè)量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時(shí)利用一個(gè)交流信號(hào)進(jìn)行測(cè)量。一般這類測(cè)量中使用的交流信號(hào)頻率在 10KHz 到 10MHz 之間。所加載的 直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測(cè)試待測(cè)器件待測(cè)器件的交流電壓和電流，從而計(jì)算出不同電壓下的電容值。
在 CV 特性測(cè)試方案中，同時(shí)集成了美國(guó)吉時(shí)利公司源表（SMU）和合作伙伴針對(duì) CV 測(cè)試設(shè)計(jì)的專用精 密 LCR 分析儀。源表 SMU 可以輸出正負(fù)電壓，電壓 輸出分辨率高達(dá) 500nV。同時(shí)配備的多款 LCR 表和 CT8001 直流偏置夾具，可以覆蓋 100Hz~ 1MHz 頻 率和正負(fù) 200V 電壓范圍內(nèi)的測(cè)試范圍。
方案特點(diǎn)：
★包含 C-V（電容 - 電壓），C-T（電容 - 時(shí)間），C-F （電容 - 頻率）等多項(xiàng)測(cè)試測(cè)試功能，C-V 測(cè)試最 多同時(shí)支持測(cè)試四條不同頻率下的曲線
★測(cè)試和計(jì)算過程由軟件自動(dòng)執(zhí)行，能夠顯示數(shù)據(jù)和 曲線，節(jié)省時(shí)間
★提供外置直流偏壓盒，最高偏壓支持到正負(fù) 200V， 頻率范圍 100Hz - 1MHz。
★支持使用吉時(shí)利 24XX/26XX 系列源表提供偏壓
測(cè)試功能：
電壓 - 電容掃描測(cè)試
頻率 - 電容掃描測(cè)試
電容 - 時(shí)間掃描測(cè)試
MOS 器件二氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度等參數(shù)的計(jì)算
原始數(shù)據(jù)圖形化顯示和保存
MOS 電容的 C-V 特性測(cè)試方案
系統(tǒng)結(jié)構(gòu)：
系統(tǒng)主要由源表、LCR 表、探針臺(tái)和上位機(jī)軟件組成。 LCR 表支持的測(cè)量頻率范圍在 0.1Hz~ 30MHz。源表 (SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過偏置夾具盒 CT8001 加載在待測(cè)件上。
LCR 表測(cè)試交流阻抗的方式是在 HCUR 端輸出交流電 流，在 LCUR 端測(cè)試電流，同時(shí)在 HPOT 和 LPOT 端 測(cè)量電壓值。電壓和電流通過鎖相環(huán)路同步測(cè)量，可 以精確地得到兩者之間的幅度和相位信息，繼而可以推算出交流阻抗參數(shù)。
典型方案配置：
系統(tǒng)參數(shù)：
下表中參數(shù)以 PCA1000 LCR 表和 2450 源表組成的 C-V 測(cè)試系統(tǒng)為例：
安泰測(cè)試已為西安多所院校、企業(yè)和研究所提供吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示，并獲得客戶的高度認(rèn)可，安泰測(cè)試將和泰克吉時(shí)利廠家一起，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)和全面的測(cè)試方案，為客戶解憂。
