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使用 SiC JFET 接近完美開關(guān)
碳化硅 (SiC) JFET堅(jiān)固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受額定值，而且值得注意的是，它們?cè)诿繂挝恍酒娣e的 FOM 導(dǎo)通電阻R DS(on) × A方面擊敗了所有其他技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了價(jià)值接近材料的理論極限（圖 1）。這個(gè)品質(zhì)因數(shù)直接關(guān)系到開關(guān)的實(shí)際性能及其經(jīng)濟(jì)性，與競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)相比，每個(gè)晶圓的芯片數(shù)量更多，性...
2022-12-16
SiC JFET接近開關(guān)
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RS瑞森半導(dǎo)體-大功率開關(guān)電源的應(yīng)用
大功率開關(guān)電源就是用通過電路控制開關(guān)管進(jìn)行高速的導(dǎo)通與截止。將直流電轉(zhuǎn)化為高頻率的交流電提供給變壓器進(jìn)行變壓，從而產(chǎn)生所需要的一組或多組電壓。
2022-12-16
RS瑞森半 大功率開關(guān)電源
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到底什么是5G LAN？
今天這篇文章，我們來聊聊5G LAN。大家如果對(duì)通信技術(shù)稍有了解的話，就會(huì)發(fā)現(xiàn)，5G LAN其實(shí)是一個(gè)很有意思的概念。對(duì)于5G，大家應(yīng)該都很熟悉，它是4G 的演進(jìn)，也是目前我們最新的移動(dòng)通信技術(shù)。
2022-12-16
5G LAN 模組 移遠(yuǎn)通信
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性能逆天的這種電容，你見過嗎？
我們都知道，理想狀態(tài)下電容的阻抗是隨頻率的增加而逐漸減小的。但在實(shí)際運(yùn)用中，由于電容器存在等效電感（ESL）以及在電路板上存在一定的安裝電感，當(dāng)頻率上升到一個(gè)特定值后電容的阻抗將不再減小，反而是逐漸增加的趨勢(shì)變化。這個(gè)特定頻率就是電容的自諧振頻率。在諧振頻率之前，電容器呈現(xiàn)容性特...
2022-12-15
電容 電路板 電感
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智能傳感技術(shù)是實(shí)現(xiàn)智能制造的關(guān)鍵
未來中國最需要發(fā)展的科技是什么？是芯片、數(shù)字孿生、元宇宙還是 5G 技術(shù)？這些重要的技術(shù)都離不開的設(shè)備是傳感器?，F(xiàn)代生產(chǎn)制造中，智能傳感技術(shù)的作用越來越重要，尤其在萬物互聯(lián)的趨勢(shì)下，智能傳感技術(shù)得到了前所未有的發(fā)展。
2022-12-15
智能傳感技術(shù) 智能制造
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面向電路的噪聲耦合抑制技術(shù)
任何在示波器上仔細(xì)觀察過低電平信號(hào)讀數(shù)的人都會(huì)熟悉電子電路中可能出現(xiàn)的噪聲。出現(xiàn)的各種固有的噪聲源在低信號(hào)電平下十分明顯。在其他以典型邏輯電平運(yùn)行的系統(tǒng)中，由于電磁干擾和電路之間的耦合，會(huì)產(chǎn)生外在噪聲。這些噪聲源都需要一個(gè)特定的電路或策略來降低耦合強(qiáng)度或減少噪聲，或兩者兼而有之。
2022-12-15
電路 噪聲耦合抑制技術(shù)
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數(shù)字電容器 IC 如何簡(jiǎn)化天線調(diào)諧？
天線調(diào)諧要求的源阻抗和負(fù)載阻抗共軛匹配，從無線技術(shù)誕生開始一直延續(xù)至今，而今已經(jīng)演變成一種新的、更具挑戰(zhàn)性的形式。
2022-12-14
數(shù)字電容器 IC 天線調(diào)諧
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開關(guān)電源環(huán)路穩(wěn)定性分析(四)
在開關(guān)電源的系統(tǒng)中，要想使其輸出電壓穩(wěn)定，可以對(duì)輸出電壓進(jìn)行監(jiān)控，然后調(diào)節(jié)開關(guān)管的開通和關(guān)斷，這種方式被稱為電壓控制模式。
2022-12-13
開關(guān)電源環(huán)路 開關(guān)電源
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為什么共模電流是EMI的主要原因
要回答這個(gè)問題，如果從共模輻射和差模輻射的發(fā)射模型公式可以明顯看出，共模輻射能量強(qiáng)的多，但是，這還不足以讓我們對(duì)“為什么共模電流是EMI的主要原因”這個(gè)問題有更深刻的認(rèn)識(shí)，因?yàn)檫@只是從最終能量來看。簡(jiǎn)潔的模型并不能體現(xiàn)實(shí)際情況中的差共模電流的實(shí)際輻射情況，我們沒有看到共模電流是怎么...
2022-12-13
共模電流 EMI
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