產(chǎn)品特性：
- 推出高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管
- 是500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET
- 提供有競爭力的低導通阻抗實現(xiàn)極低的功率耗散
應用范圍：
- 非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器等
應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設計適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)段等高壓、節(jié)能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時間及降低動態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言，這些方案非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器，及應用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。
這些新的500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET，以提供有競爭力的低導通阻抗(RDS(on))實現(xiàn)極低的功率耗散。這些器件使用平面條形(planar stripe)技術(shù)，能在極苛刻應用中工作。低門電荷降低開關(guān)損耗，還提高電源能效。這些器件的額定雪崩能量在電源應用中提供強固的工作。這些器件的優(yōu)異性能組合幫助開發(fā)更高能效的電源子系統(tǒng)。
安森美半導體MOSFET產(chǎn)品分部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“推出這些器件系列僅是安森美半導體進軍高壓功率MOSFET市場的第一步。我們戰(zhàn)略性地進入了高壓開關(guān)市場，提供充沛的500 V到600 V負載開關(guān)方案選擇，更好地服務我們客戶的總體電源管理需求。未來我們將繼續(xù)擴充高壓功率MOSFET產(chǎn)品陣容，為消費及工業(yè)客戶提供針對性的方案。這些新器件的推出是安森美半導體不斷加強其業(yè)界領(lǐng)先高能效電源方案供應商地位的又一實例。”
新推出的600 V MOSFET器件包括：
- NDD02N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.22美元
- NDD02N60ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.22美元
- NDD03N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.23美元
- NDD03N60ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.23美元
- NDD04N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.27美元
- NDD04N60ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.27美元
- NDF04N60ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價為0.27美元
- NDF06N60ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價為0.36美元
- NDF10N60ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價為0.42美元
新推出的500 V MOSFET器件包括：
- NDD05N50Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.29美元
- NDD05N50ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價為0.29美元
- NDF05N50ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價為0.29美元
- NDF08N50ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價為0.38美元
