【導(dǎo)讀】基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。更高的開關(guān)頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些主要差異，以及柵極驅(qū)動器將如何為這些差異提供支持。
多年來，功率輸出系統(tǒng)的功率開關(guān)技術(shù)選擇一直非常簡單。在 低電壓水平(通常為600 V以下)，通常會選擇MOSFET；在高電壓 水平，通常會更多地選擇IGBT。隨著氮化鎵和碳化硅形式的新 型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)，這種情況正面臨威脅。
這些新型開關(guān)技術(shù)在性能方面具有多項明顯優(yōu)勢。更高的開關(guān) 頻率可減小系統(tǒng)尺寸和重量，這對太陽能面板等能源應(yīng)用中使 用的光伏逆變器以及汽車等目標(biāo)市場非常重要。開關(guān)速度從 20 kHz提高至100 kHz可大幅減小變壓器重量，從而使電動汽車的 電機(jī)更輕，而且還能擴(kuò)大太陽能應(yīng)用中所用的逆變器的范圍， 減小其尺寸，從而使其更適合國內(nèi)應(yīng)用。另外，更高的工作溫 度(尤其是GaN器件)和更低的開啟驅(qū)動要求還可簡化系統(tǒng)架構(gòu)師 的設(shè)計工作。
與MOSFET/IGBT一樣，這些新技術(shù)(至少在初始階段)看起來能夠 滿足不同的應(yīng)用需求。直到最近，GaN產(chǎn)品通常還處于200 V范圍 內(nèi)，盡管近年來這些產(chǎn)品已經(jīng)飛速發(fā)展，并且出現(xiàn)了多種600 V 范圍內(nèi)的產(chǎn)品。但這仍然遠(yuǎn)不及SiC的主要范圍(接近1000 V)，這 表明，GaN已自然而然地取代了MOSFET器件，而SiC則取代了 IGBT器件。既然超結(jié)MOSFET能夠跨越此鴻溝并實現(xiàn)最高達(dá)900 V 的高電壓應(yīng)用，一些GaN研發(fā)開始提供能夠應(yīng)對電壓在600 V以上 的應(yīng)用的器件，這完全不足為奇。
然而，雖然這些優(yōu)勢使得GaN和SiC功率開關(guān)對設(shè)計人員極具吸 引力，但這種好處并非毫無代價。最主要的代價是成本提高， 這種器件的價格比同等MOSFET/IGBT產(chǎn)品高出好幾倍。IGBT和 MOSFET生產(chǎn)是一種發(fā)展良好且極易掌握的過程，這意味著與其 新對手相比，其成本更低、價格競爭力更高。目前，與其傳統(tǒng) 對手相比，SiC和GaN器件的價格仍然高出數(shù)倍，但其價格競爭 力正在不斷提高。許多專家和市場調(diào)查報告已經(jīng)表明，必須在 廣泛應(yīng)用前大幅縮小價格差距。即使縮小了價格差距，新型功 率開關(guān)也不太可能立即實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用，甚至從長期預(yù)測來 看，傳統(tǒng)開關(guān)技術(shù)也仍將在未來一段時間內(nèi)繼續(xù)占據(jù)大部分 市場。
除純成本和財務(wù)因素外，技術(shù)因素也會有一些影響。更高的開 關(guān)速度和工作溫度可能非常適合GaN/SiC開關(guān)，但是它們?nèi)匀粫?為完成功率轉(zhuǎn)換信號鏈所需的周邊IC支持器件帶來問題。隔離 系統(tǒng)的一種典型信號鏈如圖1所示。雖然更高的開關(guān)速度會對 控制轉(zhuǎn)換的處理器和提供反饋回路的電流檢測系統(tǒng)產(chǎn)生影響， 但本文的其余部分將重點討論為功率開關(guān)提供控制信號的柵極 驅(qū)動器所遇到的變化。
圖1. 典型功率轉(zhuǎn)換信號鏈
GaN/SiC柵極驅(qū)動器
柵極驅(qū)動器可接收系統(tǒng)控制過程產(chǎn)生的邏輯電平控制信號，并 提供驅(qū)動功率開關(guān)柵極所需的驅(qū)動信號。在隔離系統(tǒng)中，它們 還可實現(xiàn)隔離，將系統(tǒng)帶電側(cè)的高電壓信號與在安全側(cè)的用戶 和敏感低電壓電路分離。為了充分利用GaN/SiC技術(shù)能夠提供更 高開關(guān)頻率的功能，柵極驅(qū)動器必須提高其控制信號的頻率。 當(dāng)前的基于IGBT的系統(tǒng)可能在數(shù)十kHz范圍內(nèi)切換；新出現(xiàn)的要 求表明，可能需要數(shù)百kHz、甚至是一至兩MHz的開關(guān)頻率。這 會對系統(tǒng)設(shè)計人員產(chǎn)生困擾，因為他們試圖消除從柵極驅(qū)動器 到功率開關(guān)之間的信號路徑中的電感。最大限度縮短走線長度 以避免走線電感將非常關(guān)鍵，柵極驅(qū)動器和功率開關(guān)的靠近布 局可能會成為標(biāo)準(zhǔn)做法。GaN供應(yīng)商提供的推薦布局指南的絕 大部分都強(qiáng)調(diào)了低阻抗走線和平面的重要性。此外，使用者將 希望功率開關(guān)和支持IC供應(yīng)商能夠解決封裝和金線引起的各種 問題。
SiC/GaN開關(guān)提供的更高工作溫度范圍也對系統(tǒng)設(shè)計人員極具吸 引力，因為這能夠讓他們更自由地提升性能，而不必?fù)?dān)心散熱 問題。雖然功率開關(guān)將在更高溫度下工作，但其周圍的硅類元 件仍然會遇到常規(guī)的溫度限制。由于必須將驅(qū)動器放置在開關(guān) 旁邊，希望充分利用新開關(guān)的更高工作范圍的設(shè)計人員正面臨 著一個問題，即溫度不能超過硅類元件溫度極限。
圖2. 典型柵極驅(qū)動器的傳播延遲和CMTI性能
更高的開關(guān)頻率還會產(chǎn)生共模瞬變抗擾性問題，這對系統(tǒng)設(shè)計 人員來說是一個非常嚴(yán)重的問題。在隔離式柵極驅(qū)動器中的 隔離柵上耦合的高壓擺率信號可能破壞數(shù)據(jù)傳輸，導(dǎo)致輸出 端出現(xiàn)不必要的信號。在傳統(tǒng)的基于IGBT的系統(tǒng)中，抗擾度介 于20 kV/μs和30 kV/μs之間的柵極驅(qū)動器足以抵抗共模干擾。但 是，GaN器件往往具有超過這種限制的壓擺率，為魯棒系統(tǒng)選 擇柵極驅(qū)動器，其共模瞬變抗擾度至少應(yīng)為100 kV/μs。最近推 出的產(chǎn)品，例如ADuM4135采用了ADI公司的iCoupler®技術(shù)，提供最高達(dá)100 kV/μs的共模瞬變抗擾度，能夠應(yīng)對此類應(yīng)用。但 是，提高CMTI性能往往會產(chǎn)生額外的延遲。延遲增加意味著高 端和低端開關(guān)之間的死區(qū)時間增加，這會降低性能。在隔離式 柵極驅(qū)動器領(lǐng)域尤其如此，因為在此類領(lǐng)域中，信號在隔離柵 上傳輸，一般具有更長時間的延遲。但是，ADuM4135不僅提供 100 kV/μs CMTI，而且其傳播延遲僅為50 ns。
當(dāng)然，對于承擔(dān)推動新型功率開關(guān)技術(shù)向前發(fā)展這一任務(wù)的柵 極驅(qū)動器，并非完全是壞消息。典型IGBT的柵極充電電荷高達(dá) 數(shù)百nC，因此，我們通常會發(fā)現(xiàn)柵極驅(qū)動器在2 A至6 A范圍內(nèi)提 供輸出驅(qū)動能力。目前，市場上提供的GaN開關(guān)的柵極充電電 荷性能提升了10倍以上，通常處于5 nC至7 nC范圍內(nèi)，因此，柵 極驅(qū)動器的驅(qū)動要求已顯著降低。降低柵極驅(qū)動器的驅(qū)動要求 可使柵極驅(qū)動器尺寸更小、速度更快，而且還能減少添加外部 緩沖器以增強(qiáng)電流輸出的需求，從而能夠節(jié)約空間和成本。
結(jié)論
人們很早以前就預(yù)測到，GaN和SiC器件將成為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 的新型解決方案，這種技術(shù)人們期待已久，現(xiàn)在終于得以實 現(xiàn)。雖然這種技術(shù)能夠提供極具吸引力的優(yōu)勢，但它們并非沒 有代價。為了提供出色性能，新型開關(guān)技術(shù)需要更改所用隔離 式柵極驅(qū)動器的要求，并且會為系統(tǒng)設(shè)計人員帶來新的問題。 優(yōu)勢很明顯，并且也已經(jīng)出現(xiàn)了多種解決這些問題的方案。而 且，市場上已經(jīng)有現(xiàn)成且可行的GaN和SiC解決方案。
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