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電源時(shí)序規(guī)格： 電源導(dǎo)通時(shí)的時(shí)序工作
上一篇文章中介紹了使用通用電源IC實(shí)現(xiàn)電源時(shí)序控制電路的“電源時(shí)序規(guī)格①”的控制電路。本文先介紹使用通用電源IC實(shí)現(xiàn)電源時(shí)序控制電路中，電源導(dǎo)通時(shí)的時(shí)序工作。
2021-12-03
電源時(shí)序 規(guī)格
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在3D打印機(jī)中推動(dòng)步進(jìn)電機(jī)的極限控制
在3D打印領(lǐng)域，新手通常很難理解步進(jìn)電機(jī)的真正驅(qū)動(dòng)方式，比如不少工程師會(huì)問(wèn)這樣的問(wèn)題“我的電機(jī)額定電壓是4.6V，但是我的打印機(jī)有12/24V電源，我可以使用它嗎?”。這是因?yàn)槲覀兠刻焓褂玫拇蠖鄶?shù)電子產(chǎn)品都使用恒壓可變電流電源，這就是我們過(guò)去的認(rèn)知。一個(gè)12V的LED燈帶將由一個(gè)穩(wěn)定的、可控的12V...
2021-12-03
3D打印機(jī) 步進(jìn)電機(jī) 極限控制
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安森美在A(yíng)SPENCORE全球電子成就獎(jiǎng)和EE Awards Asia贏(yíng)得頭籌
2021年12月2日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布其N(xiāo)CP51561隔離SiC MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器獲ASPENCORE全球電子成就獎(jiǎng)（WEAA）的功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器類(lèi)獎(jiǎng)項(xiàng)。WEAA項(xiàng)目表彰對(duì)全球電子行業(yè)的創(chuàng)新和發(fā)展做出杰出貢獻(xiàn)的企業(yè)和個(gè)人，由ASPENCORE全球分析師及其用戶(hù)社...
2021-12-02
安森美 ASPENCORE 門(mén)極驅(qū)動(dòng)器
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元器件越小越好嗎？
近期看到Robin Kearey的一篇博文 SMALLER IS SOMETIMES BETTER: WHY ELECTRONIC COMPONENTS ARE SO TINY[1] ，詳細(xì)分析了電子器件的微型化所帶來(lái)的影響。如果你還在想瘋狂壓縮電路體積的話(huà)，看看他的分析也許會(huì)讓你冷靜下來(lái)。
2021-12-02
摩爾定律 表貼器件
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使用氮化鎵(GaN)提高電源效率
如今，越來(lái)越多的設(shè)計(jì)者在各種應(yīng)用中使用基于氮化鎵的反激式AC/DC電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。
2021-12-02
GaN 電源效率
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ADI為L(zhǎng)inux發(fā)行版擴(kuò)充1000多個(gè)器件驅(qū)動(dòng)，支持高性能解決方案開(kāi)發(fā)
中國(guó)，北京—2021年12月1日—在Linux開(kāi)源操作系統(tǒng)迎來(lái)30 周年之際，Analog Devices, Inc. (ADI)宣布擴(kuò)充其Linux發(fā)行版的器件驅(qū)動(dòng)，讓Linux內(nèi)核能夠識(shí)別并支持1000多個(gè)ADI外設(shè)。這些開(kāi)源器件驅(qū)動(dòng)為ADI客戶(hù)簡(jiǎn)化了軟件開(kāi)發(fā)流程，提供了對(duì)經(jīng)過(guò)測(cè)試的高質(zhì)量軟件的訪(fǎng)問(wèn)，從而支持快速開(kāi)發(fā)嵌入式解決方案，為...
2021-12-01
ADI Linux 器件驅(qū)動(dòng)
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ADALM2000實(shí)驗(yàn)：從三角波生成正弦波
本次實(shí)驗(yàn)評(píng)估的電路利用SSM2212 NPN匹配晶體管對(duì)中包含的差分晶體管對(duì)的特性，從一個(gè)三角波生成一個(gè)近似正弦波。我們知道，差分晶體管對(duì)的跨導(dǎo)定義為：
2021-12-01
ADALM2000實(shí)驗(yàn) 三角波 正弦波
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重負(fù)載時(shí)中開(kāi)關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)
在重負(fù)載時(shí)，如果MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr較長(zhǎng)，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關(guān)斷時(shí)，寄生雙極晶體管可能會(huì)誤導(dǎo)通，從而損壞MOSFET。這種問(wèn)題發(fā)生在由關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的對(duì)漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發(fā)地導(dǎo)通（誤導(dǎo)通）、瞬間流過(guò)大電流時(shí)。
2021-11-29
重負(fù)載 開(kāi)關(guān)元件 注意事項(xiàng)
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IGBT的電流是如何定義的
IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見(jiàn)FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對(duì)于日常工作交流來(lái)說(shuō)是足夠了，但對(duì)于一位設(shè)計(jì)工程師是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，而且業(yè)內(nèi)充滿(mǎn)著誤解和流言。
2021-11-29
IGBT 輸出電流 定義
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