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基于UCC25800-Q1開環(huán)LLC驅(qū)動器的隔離電源方案設(shè)計
隔離驅(qū)動被廣泛的應(yīng)用在工業(yè)產(chǎn)品中,其供電隔離電源的設(shè)計是隔離驅(qū)動設(shè)計的關(guān)鍵一環(huán)。傳統(tǒng)的隔離驅(qū)動供電方案多數(shù)采用反激或推挽結(jié)構(gòu),而與這兩種方案進(jìn)行對比,LLC諧振變換器有著自己獨有的優(yōu)勢,高功率密度,低噪聲,低成本。
2021-08-09
UCC25800-Q1 隔離電源 設(shè)計
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充電芯片BQ25601應(yīng)用中的若干問題
BQ25601是一款常用的充電芯片。本文針對其錯誤上報的機(jī)制進(jìn)行了說明。同時,本文針對該芯片實際應(yīng)用在可穿戴產(chǎn)品中碰到過的弱充問題進(jìn)行了問題分析和說明,并從系統(tǒng)層面給出了階梯式抬升充電電流的解決方案。
2021-08-09
充電芯片 BQ25601 應(yīng)用
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如何設(shè)計模塊化 DC/DC 系統(tǒng),第 1 部分:設(shè)計的 4 個階段
在設(shè)計模塊化 DC-DC 系統(tǒng)時,必須要考慮從電源到負(fù)載的整個供電系統(tǒng),才能實現(xiàn)所需的功能和性能。本系列教程不僅將介紹模塊化 DC-DC 系統(tǒng)的設(shè)計流程,通過這些流程,來完成電源到負(fù)載的設(shè)計案例。
2021-08-09
設(shè)計 模塊化 DC/DC
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助你輕松并聯(lián)增加輸出功率,這款μModule穩(wěn)壓器你愛了沒?
LTM8055 是一款具 5V 至 36V 輸入范圍的降壓-升壓型 μModule?穩(wěn)壓器,其可容易地通過并聯(lián)以擴(kuò)展負(fù)載電流能力。該器件的四開關(guān)降壓-升壓型拓?fù)渚哂懈咝?,同時允許輸入電壓低于、等于或高于輸出,并可在調(diào)節(jié)模式之間實現(xiàn)平滑轉(zhuǎn)換。
2021-08-08
并聯(lián) 輸出功率 μModule穩(wěn)壓器
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有沒有一種簡單的辦法來創(chuàng)建適合傳感器偏置應(yīng)用的高壓電源?
提供高精度輸出的可調(diào)高壓電源很難構(gòu)建。時間、溫度和生產(chǎn)過程中的差異等帶來的漂移通常都會導(dǎo)致誤差。傳統(tǒng)上用于反饋的阻性網(wǎng)絡(luò)是常見誤差源。本文提出一種利用集成電路(IC)反饋路徑的新穎設(shè)計。此電路用于傳感器偏置應(yīng)用,與利用電阻網(wǎng)絡(luò)提供反饋的設(shè)計相比,精度更高,漂移更低,更加靈活,甚至...
2021-08-07
傳感器 偏置應(yīng)用 高壓電源
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安森美:新品牌和可持續(xù)未來的承諾
2021年8月6日—安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor,納斯達(dá)克股票代號:ON) 在美國時間8月5日公布公司的新商號“onsemi ”和煥然一新的品牌,作為公司發(fā)展的下一步,以確立自身成為智能電源和感知技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商。安森美 (onsemi) 持續(xù)專注于汽車和工業(yè)終端市場,已加強(qiáng)其創(chuàng)新的戰(zhàn)略推動顛覆性創(chuàng)新,為...
2021-08-06
安森美 感知技術(shù) 智能電源
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變頻器軟啟動器控制使用以及電機(jī)各種啟動方式
電機(jī)軟啟動器一般以大功率雙向晶閘管構(gòu)成三相交流調(diào)壓電路,以微處理器及信號采集、保護(hù)環(huán)節(jié)構(gòu)成控制器,通過控制晶閘管的觸發(fā)角,調(diào)節(jié)晶閘管調(diào)壓電路的輸出電壓,實現(xiàn)電動機(jī)的無觸點降壓軟啟動、軟停車和空載、輕載的節(jié)能及保護(hù)功能。為此,通過對軟啟動方式與傳統(tǒng)的啟動方式進(jìn)行比較,來分析軟啟...
2021-08-06
變頻器 軟啟動器 啟動方式
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驅(qū)動未來,如何對電機(jī)運行異常做分析與定位?
電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)是將電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能的動力心臟,小到風(fēng)扇、空調(diào),大到船舶、飛機(jī)都離不開電機(jī),如此重要的部件出現(xiàn)了異常該如何定位與分析呢?本文將帶您深入了解。
2021-08-06
電機(jī)運行 異常分析 定位
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快充僅是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用“磨刀石”,落地這一領(lǐng)域可每年省電40億度
眾所周知,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體,相較傳統(tǒng)的硅材料半導(dǎo)體,具備許多非常優(yōu)異的特性,如高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率以及抗強(qiáng)輻射能力等。前一個十年,第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)在基站射頻、功放等通信領(lǐng)域嶄露頭角;2021年,隨著“十四五”規(guī)劃的提出,中國將加...
2021-08-06
快充 第三代半導(dǎo)體 新能源
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