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碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)與優(yōu)化
碳化硅（SiC）具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率等優(yōu)良的材料特性，在中高壓功率半導(dǎo)體器件制造中得到了廣泛的應(yīng)用。目前，肖特基二極管、mosfet和jfet是市場(chǎng)上最流行的SiC功率器件。特別是sic schottky二極管已經(jīng)成功地應(yīng)用于電力領(lǐng)域近20年。最早的SiC肖特基二極管采用純肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）結(jié)構(gòu)。后來(lái)，這種結(jié)構(gòu)演變成一種結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）具有低反向泄漏電流。最新的結(jié)構(gòu)被稱為合并PN肖特基（MPS），表現(xiàn)出大幅增加的浪涌電流處理能力。
2020-10-21
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工業(yè)設(shè)備逆變器的絕佳CP：智能功率模塊
智能功率模塊(Intelligent Power Module, IPM)是一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向—模塊化、復(fù)合化和集成化(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。
2020-09-09
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致工程師系列之五：優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
現(xiàn)代寬禁帶功率器件(SiC, GaN)上的開關(guān)晶體管速度越來(lái)越快，使得測(cè)量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn)，在某些情況下幾乎不可能實(shí)現(xiàn)。隔離探測(cè)技術(shù)的出現(xiàn)改變了這種局面，通過(guò)這一技術(shù)，設(shè)計(jì)人員終于能夠放心地測(cè)量以前回避的半橋和門驅(qū)動(dòng)器波形。
2020-08-31
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一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置！
在設(shè)計(jì)開關(guān)模式電源時(shí)，主要品質(zhì)因數(shù)（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個(gè)FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會(huì)增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復(fù)，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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SiC吸引力為何如此的大？在電力電子上又有哪些應(yīng)用？
據(jù)預(yù)測(cè)，采用 SiC 的功率模塊將進(jìn)入諸如可再生能源、UPS 電源、驅(qū)動(dòng)器和汽車等應(yīng)用。風(fēng)電和牽引應(yīng)用可能會(huì)隨之而來(lái)。 到 2021 年，SiC 功率器件市場(chǎng)總額預(yù)計(jì)將上升到 10 億美元 [1]。在某些市場(chǎng)，如太陽(yáng)能，SiC 器件已投入運(yùn)行，盡管事實(shí)上這些模塊的價(jià)格仍然比常規(guī)硅器件高。是什么使這種材料具有足夠的吸引力，即使價(jià)格更高也心甘情愿地被接受？
2020-07-30
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安森美將為丹佛斯提供用于逆變器牽引模塊的大功率器件
2020年7月7日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)和丹佛斯宣布，公司將為丹佛斯硅動(dòng)力(Danfoss Silicon Power)供應(yīng)大功率IGBT和二極管，應(yīng)用于快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車市場(chǎng)的逆變器牽引模塊。
2020-07-07
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如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源要求
在工業(yè)應(yīng)用中，AC/DC 電源轉(zhuǎn)換（也稱為“離線式”電源轉(zhuǎn)換）與消費(fèi)類和大眾市場(chǎng)設(shè)計(jì)迥然不同。通常，工業(yè)應(yīng)用的電壓、電流和功率水平相對(duì)更高，對(duì)熱應(yīng)力和電應(yīng)力的穩(wěn)健性有額外要求，對(duì)活動(dòng)和待機(jī)模式有嚴(yán)格的監(jiān)管規(guī)定，還必須監(jiān)控當(dāng)前工作狀態(tài)以形成反饋回路并進(jìn)行故障檢測(cè)。
2020-06-10
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固態(tài)繼電器和固態(tài)調(diào)壓器的區(qū)別
固態(tài)繼電器是由微電子電路，分立電子器件，電力電子功率器件組成的無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。用隔離器件實(shí)現(xiàn)了控制端與負(fù)載端的隔離。固態(tài)繼電器的輸入端用微小的控制信號(hào)，達(dá)到直接驅(qū)動(dòng)大電流負(fù)載。
2020-06-09
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效率媲美氮化鎵的超級(jí)硅MOSFET
半導(dǎo)體功率器件在電力電子行業(yè)有著非常廣泛的應(yīng)用，特別是近幾年來(lái)，隨著社會(huì)電子產(chǎn)業(yè)化及萬(wàn)物互聯(lián)的應(yīng)用需求，更進(jìn)一步加速了電子化水平的進(jìn)程；也對(duì)電力電子系統(tǒng)提出了更高的要求和挑戰(zhàn)，如：高效率、高頻化、高密度、小體積、高可靠性及長(zhǎng)壽命等方面。
2020-04-23
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射頻大功率器件TRL校準(zhǔn)件的設(shè)計(jì)與制作
以LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）為代表的射頻大功率器件已經(jīng)在民用通信市場(chǎng)以其優(yōu)異的性能和低廉的價(jià)格而得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，對(duì)于這種射頻大功率器件的器件水平和能力評(píng)估也越來(lái)越受到關(guān)注。
2020-04-20
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致工程師系列之二：功率器件的標(biāo)定及選擇
對(duì)市場(chǎng)新推出的低功耗IC 及功率器件特性無(wú)法準(zhǔn)確把握？是否真正在自己的電源設(shè)計(jì)中發(fā)揮最大的作用，缺少一種簡(jiǎn)單經(jīng)濟(jì)的評(píng)價(jià)方法。對(duì)于電源產(chǎn)品設(shè)計(jì)，大功率開關(guān)管的選擇是非常關(guān)鍵也是非常困難的。
2020-03-10
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一文秒懂功率器件，從小白變大神的進(jìn)階之路
功率器件，也被稱為電力電子器件，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是具有處理高電壓、大電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面，因此得名“電力電子器件”。
2020-02-25
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