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基于GPU器件行為的創(chuàng)新分布式功能安全機(jī)制為智能駕駛保駕護(hù)航
隨著汽車(chē)智能化程度的快速提高，大量新的處理器和系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）被廣泛引入到車(chē)輛中，無(wú)論是在駕駛還是座艙等場(chǎng)景，無(wú)論采用域控制器模式還是新興的中央控制單元模式，都無(wú)一例外地在考慮加入更加智能化的新功能。但是隨之而來(lái)的是這些控制單元中的相關(guān)芯片的系統(tǒng)級(jí)故障或意外行為可能引起的危險(xiǎn)，因此需要發(fā)現(xiàn)這些故障或可能的意外并提供相應(yīng)的保護(hù)措施，這個(gè)過(guò)程就是為汽車(chē)芯片建立和提供功能安全（Functional Safety，亦簡(jiǎn)稱(chēng)FuSa）解決方案。
2024-10-12
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意法半導(dǎo)體與高通達(dá)成無(wú)線物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)略合作
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM) 與高通公司旗下子公司高通技術(shù)國(guó)際有限公司（Qualcomm Technologies International, Ltd，簡(jiǎn)稱(chēng)QTI）近日宣布，雙方達(dá)成一項(xiàng)新的戰(zhàn)略協(xié)議，合作開(kāi)發(fā)基于邊緣 AI的下一代工業(yè)和消費(fèi)物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
2024-10-11
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貿(mào)澤推出全新一期EIT系列 探索可持續(xù)智能電網(wǎng)的技術(shù)創(chuàng)新
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布Empowering Innovation Together (共求創(chuàng)新，EIT) 計(jì)劃全新一期技術(shù)內(nèi)容，探討將可再生能源納入智能電網(wǎng)技術(shù)的好處，并重點(diǎn)介紹AI和5G在實(shí)現(xiàn)可持續(xù)電網(wǎng)管理中的作用。
2024-09-25
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貿(mào)澤電子對(duì)FIRST創(chuàng)始人兼發(fā)明家Dean Kamen進(jìn)行視頻專(zhuān)訪
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很高興推出與工程師、發(fā)明家兼FIRST? (For Inspiration and Recognition of Science and Technology) 創(chuàng)始人Dean Kamen的視頻專(zhuān)訪。這家非營(yíng)利機(jī)構(gòu)致力于通過(guò)機(jī)器人實(shí)踐項(xiàng)目，推動(dòng)青少年的科學(xué)、技術(shù)、工程與數(shù)學(xué) (STEM) 教育。自2014年以來(lái)，貿(mào)澤一直是FIRST的主要贊助商之一，協(xié)助該機(jī)構(gòu)每年持續(xù)激發(fā)數(shù)十萬(wàn)年輕人的創(chuàng)新靈感，培養(yǎng)他們?nèi)娴腟TEM和生活技能。
2024-09-09
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2024CIOE中國(guó)光博會(huì) | 傲科光電邀您相約12A59展位！
匯聚全球光電科技，盡在中國(guó)深圳光電博覽會(huì)(CIOE)。本屆CIOE將于2024年9月11-13日在深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館)隆重舉辦。在這個(gè)全球光電科技匯聚的盛會(huì)上，傲科光電將展示業(yè)界領(lǐng)先的400G/800G/1.6T 應(yīng)用的全系列Driver、TIA及硅光解決方案。
2024-09-09
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什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)？
這要從IGBT的平面結(jié)構(gòu)說(shuō)起。IGBT和MOSFET有類(lèi)似的器件結(jié)構(gòu)，MOS中的漏極D相當(dāng)于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當(dāng)于IGBT的發(fā)射極E，二者都會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象。下圖所示是一個(gè)簡(jiǎn)化平面型IGBT剖面圖，以此來(lái)闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個(gè)大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會(huì)出現(xiàn)強(qiáng)反型層，形成導(dǎo)電溝道。
2024-08-30
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可調(diào)速工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器有哪些不同類(lèi)型
本文簡(jiǎn)要介紹了 VSD 和 VFD 的常用定義，并探討了廣泛使用 VFD 的原因。然后，回顧了 IEC 61800-9 中為交流驅(qū)動(dòng)器定義的效率等級(jí)，并介紹了 Delta Electronics、Siemens、Schneider Electric 和 Omron Automation 提供的典型市電供電型 VFD，最后還以 MEAN WELL 的示例系統(tǒng)為例，探討了 VFD 在 AMR 和其他電池供電型系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2024-08-13
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西門(mén)子X(jué)celerator即服務(wù)助力松下進(jìn)行家電開(kāi)發(fā)數(shù)字化轉(zhuǎn)型
西門(mén)子支持全球領(lǐng)先的電子產(chǎn)品制造商松下電器將產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)管理轉(zhuǎn)移到軟件即服務(wù)(SaaS)模式,作為其數(shù)字化轉(zhuǎn)型(DX)策略——“松下轉(zhuǎn)型”(Panasonic Transformation – PX)的一部分
2024-08-06
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半導(dǎo)體后端工藝｜第九篇：探索不同材料在傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝中的作用
可靠性和穩(wěn)定性是保障半導(dǎo)體產(chǎn)品順暢運(yùn)行的關(guān)鍵因素。半導(dǎo)體器件的封裝必須注意避免受到物理、化學(xué)和熱損傷。因此，封裝材料必須具備一定的質(zhì)量要求。隨著業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品運(yùn)行速度的要求不斷提高，封裝材料需要具備更優(yōu)異的電氣性能，比如具備低介電常數(shù)（Permittivity）1和介電損耗（Dielectric Loss）2的基板等。
2024-08-02
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全新Reality AI Explorer Tier，免費(fèi)提供強(qiáng)大的AI/ML開(kāi)發(fā)環(huán)境綜合評(píng)估“沙盒”
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布推出Reality AI Explorer Tier——作為Reality AI Tools?軟件的免費(fèi)版本，可用于開(kāi)發(fā)工業(yè)、汽車(chē)和商業(yè)應(yīng)用中的AI與TinyML解決方案。
2024-07-17
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采用被動(dòng)式紅外傳感器做運(yùn)動(dòng)檢測(cè) 有沒(méi)有簡(jiǎn)捷實(shí)現(xiàn)的方案？
本文首先討論運(yùn)動(dòng)檢測(cè)的基本原理，然后展示開(kāi)發(fā)者如何使用與 Microchip DM080104 ATtiny 1627 Curiosity Nano 連接的 PIR 進(jìn)行運(yùn)動(dòng)檢測(cè)。最后，介紹一種可替代復(fù)雜算法開(kāi)發(fā)的運(yùn)動(dòng)檢測(cè)方法。這種方法充分發(fā)揮了機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。其中包括入門(mén)所需的技巧和竅門(mén)。
2024-07-16
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半導(dǎo)體后端工藝 第八篇：探索不同晶圓級(jí)封裝的工藝流程
在本系列第七篇文章中，介紹了晶圓級(jí)封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同晶圓級(jí)封裝方法所涉及的各項(xiàng)工藝。晶圓級(jí)封裝可分為扇入型晶圓級(jí)芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級(jí)芯片封裝(Fan-Out WLCSP)、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝、及硅通孔(TSV)封裝。此外，本文還將介紹應(yīng)用于這些晶圓級(jí)封裝的各項(xiàng)工藝，包括光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝和濕法(Wet)工藝。
2024-07-02
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