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使用MSO 5/6內(nèi)置AWG進(jìn)行功率半導(dǎo)體器件的雙脈沖測(cè)試
SiC器件的快速開關(guān)特性包括高頻率,要求測(cè)量信號(hào)的精度至少達(dá)到100MHz或更高帶寬 (BW),這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中,寬禁帶功率器件供應(yīng)商Qorvo與Tektronix合作,基于實(shí)際的SiC被測(cè)器件 (DUT),描述了實(shí)用的解決方案。
2025-01-26
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MOS管在開關(guān)電源中的核心作用及其關(guān)鍵性能參數(shù)對(duì)設(shè)計(jì)的影響
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱MOSFET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的元器件之一,在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中扮演著至關(guān)重要的角色。開關(guān)電源作為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換和管理的核心組件,其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應(yīng)用。本文將深入探討MOS管在開關(guān)電源中的具體作用,并剖析其關(guān)鍵性能參數(shù)對(duì)電源整體性能的影響。
2025-01-25
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大電流、高性能降壓-升壓穩(wěn)壓器
許多應(yīng)用都需要寬輸入和/或輸出電壓范圍,例如電池供電系統(tǒng)。在輸入電壓可能低于或高于輸出電壓的情況下,電源需要調(diào)節(jié)其輸出電壓。只要不需要接地隔離,四開關(guān)降壓-升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)就能為此類應(yīng)用提供超高的效率和功率密度。此外,降壓-升壓穩(wěn)壓器非常靈活,可用作單純的降壓電源或升壓(帶短路保護(hù))電源。
2025-01-20
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PCI Express Gen5:自動(dòng)化多通道測(cè)試
對(duì)高速鏈路(如PCI Express?)的全面表征需要對(duì)被測(cè)鏈路的發(fā)送端(Tx)和接收端(Rx)進(jìn)行多差分通道的測(cè)量。由于需要在不同通道之間進(jìn)行同軸連接的物理切換,這對(duì)于完全自動(dòng)化的測(cè)試環(huán)境來說是一個(gè)挑戰(zhàn)。引入RF開關(guān)矩陣允許多通道測(cè)試中的物理連接切換,并實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化軟件測(cè)試。
2025-01-17
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當(dāng)過壓持續(xù)較長(zhǎng)時(shí)間時(shí),使用開關(guān)浪涌抑制器
在工業(yè)電子設(shè)備中,過壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器,以應(yīng)對(duì)長(zhǎng)時(shí)間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同,開關(guān)浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負(fù)載正常運(yùn)行,而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的MOSFET散熱超過其處理能力時(shí)切斷電流。
2025-01-13
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第13講:超小型全SiC DIPIPM
三菱電機(jī)從1997年開始將DIPIPM產(chǎn)品化,廣泛應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱等白色家用電器,以及通用變頻器、機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結(jié)構(gòu),由功率芯片和具有驅(qū)動(dòng)及保護(hù)功能的控制IC芯片組成。通過優(yōu)化功率芯片和控制IC,預(yù)先調(diào)整了開關(guān)速度等特性。搭載驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路、電平轉(zhuǎn)換電路的HVIC(High Voltage IC),可通過CPU或微機(jī)的輸入信號(hào)直接控制,通過單電源化和消除光耦來減小電路板尺寸,并實(shí)現(xiàn)高可靠性。另外,內(nèi)置BSD(Bootstrap Diode),可減少外圍元件數(shù)量。因此,DIPIPM使逆變器外圍電路的設(shè)計(jì)變得更加容易,有助于客戶逆變器電路板的小型化和縮短設(shè)計(jì)時(shí)間。
2025-01-09
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基于SiC的高電壓電池?cái)嚅_開關(guān)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
得益于固態(tài)電路保護(hù),直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)(由單相或三相電網(wǎng)電源或儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)供電)可提升自身的可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高電壓固態(tài)電池?cái)嚅_開關(guān)時(shí),需要考慮幾項(xiàng)基本的設(shè)計(jì)決策。其中關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及路中斷期間的感應(yīng)能量管理。在本文中,我們將討論在選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)和定義高電壓、高電流電池?cái)嚅_開關(guān)的半導(dǎo)體封裝時(shí)的一些設(shè)計(jì)注意事項(xiàng),以及表征系統(tǒng)的寄生電感和過流保護(hù)限值的重要性。
2025-01-08
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PNP 晶體管:特性和應(yīng)用
您可能很清楚,現(xiàn)代電氣工程乃至整個(gè)現(xiàn)代世界都與晶體管設(shè)備有著千絲萬縷的聯(lián)系。這些組件既充當(dāng)開關(guān)又充當(dāng)放大器。盡管場(chǎng)效應(yīng)晶體管目前在電子領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位,但初的晶體管是雙極晶體管,并且很快個(gè)雙極結(jié)晶體管(BJT)就緊隨其后。
2025-01-07
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原來為硅MOSFET設(shè)計(jì)的DC-DC控制器能否用來驅(qū)動(dòng)GaNFET?
眾所周知,GaNFET比較難驅(qū)動(dòng),如果使用原本用于驅(qū)動(dòng)硅(Si) MOSFET的驅(qū)動(dòng)器,可能需要額外增加保護(hù)元件。適當(dāng)選擇正確的驅(qū)動(dòng)電壓和一些小型保護(hù)電路,可以為四開關(guān)降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動(dòng)。
2025-01-07
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ESR 對(duì)陶瓷電容器選擇的影響(下)
在樓氏電容事業(yè)部,我們深知 ESR 對(duì)這些高功率或高頻率電路的影響,因?yàn)?Q 值在這些電路中至關(guān)重要。同時(shí),我們也意識(shí)到,由于ESR會(huì)隨著設(shè)備工作頻率的改變而變化,因此并不存在一種適用于所有情況的超低ESR電容器。為此,我們精心打造了一系列II類陶瓷電介質(zhì)電容器(根據(jù)芯片尺寸選用BX或X7R材料),這些電容器不僅具備卓越的容積效率,而且壓電效應(yīng)微乎其微。我們專門針對(duì)惡劣環(huán)境設(shè)計(jì)了一系列產(chǎn)品,例如在大功率寬帶耦合和開關(guān)電源中,以確保產(chǎn)品的可靠運(yùn)行。
2025-01-03
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低功率開關(guān)電容器帶隙,第 2 部分
在本期文章中,對(duì)傳統(tǒng)的帶隙電路進(jìn)行了誤差分析,然后解釋了如何使用開關(guān)電容電路將這些誤差降至。圖 1 顯示了傳統(tǒng)的帶隙參考實(shí)現(xiàn)方案及其相關(guān)的誤差源。
2024-12-31
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為何混合型交流浪涌保護(hù)器是浪涌保護(hù)首選?
現(xiàn)在的電子設(shè)備無處不在且發(fā)展迅速,其越來越敏感的電路在很大程度上依賴前端保護(hù),因?yàn)樗鼈円尤腚娏A(chǔ)設(shè)施,而這些基礎(chǔ)設(shè)施可能有或者沒有最新的電壓浪涌和瞬態(tài)保護(hù)功能。這些瞬態(tài)事件可能是由雷擊、開關(guān)動(dòng)作或類似的電壓浪涌事件造成的結(jié)果,會(huì)導(dǎo)致過電壓和過電流事件,進(jìn)而損壞敏感電子設(shè)備或者降低其性能。
2024-12-16
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