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1.9GHz基站前端射頻LNA仿真與實現(xiàn)研究
本文給出了基于E-pHEMT管ATF-54143和混合耦合器2A1306-3的射頻低噪聲放大器的設(shè)計。E-pHEMT管的低噪聲系數(shù)和高OIP3使它在高動態(tài)范圍電路設(shè)計上具有很大的優(yōu)勢,并且該放大器的技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了CDMA基站的接收前端對低噪聲放大器的規(guī)范要求,具有很好的應(yīng)用前景。
2008-10-12
截點 E-pHEMT 平衡結(jié)構(gòu) LNA 仿真
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阻抗匹配
本文詳細(xì)討論了傳輸線的阻抗匹配問題。重點介紹了串聯(lián)終端匹配和并聯(lián)終端匹配，提出將訊號的傳輸看成軟管送水澆花和傳輸線之終端控管技術(shù)。
2008-10-12
傳輸線 阻抗匹配 訊號 特性阻抗
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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)
本文通過分析RF功率 LDMOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征，設(shè)計出RF 功率 LDMOSFET器件結(jié)構(gòu)，通過工藝和器件模擬確定了關(guān)鍵參數(shù)，并設(shè)計了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對工藝中的難點提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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運放式射頻放大器
本文詳細(xì)介紹了放大器的基本拓?fù)浜蛥?shù)，如果價格可以接受的話，運放，特別是CFB運放非常適合射頻設(shè)計。
2008-10-12
運放 射頻 CFB
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CDS2C05HDMI1/CDS3C05HDMI：EPCOS高速數(shù)據(jù)線ESD防護(hù)CeraDiode
愛普科斯現(xiàn)可提供0402和0603尺寸的CeraDiodes，其特點是標(biāo)準(zhǔn)值為0.6pF的極低的電容值。因此，該類產(chǎn)品適合于高速數(shù)據(jù)線的ESD防護(hù)，如USB、以太網(wǎng)、Firewire、eSATA和HDMI。
2008-10-11
ESD防護(hù) CeraDiode CDS2C05HDMI1 CDS3C05HDMI
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霍爾效應(yīng)技術(shù)提供緊湊型電流測量傳感器
通常測量3-20A范圍內(nèi)電流的方法主要有以下兩種：采用電阻分流器的傳統(tǒng)測量方法，和使用電流傳感器。新的研發(fā)隊伍融合了兩家公司的專業(yè)經(jīng)驗，已經(jīng)重新設(shè)計了日本最暢銷的產(chǎn)品SY系列，并把它發(fā)展成為HX系列。
2008-10-11
霍爾效應(yīng) LEM SY HX
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電流型熱電偶溫度變送器的設(shè)計
在化工、石油、電力、冶煉等行業(yè)的自動化控制系統(tǒng)中熱電偶發(fā)揮著對溫度的監(jiān)控作用。本文主要開發(fā)設(shè)計出一套具有較高精度和穩(wěn)定性的實用性K型熱電偶溫度變送器。
2008-10-11
熱電偶 溫度變送器 溫度補償
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