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面對電磁輻射干擾,如何輕松進行電子線路設(shè)計布局?
電磁環(huán)境包含輻射和傳導(dǎo)能量。EMC也包含輻射和敏感度兩方面。輻射是指產(chǎn)品不必要地產(chǎn)生電磁能量。為了打造一種具備電磁兼容性的環(huán)境,通常需要控制輻射。敏感度是一種用于衡量電子產(chǎn)品容忍其他電磁產(chǎn)品的輻射,或傳導(dǎo)電磁能量影響或其他電磁影響的能力指標??箶_度與敏感度相反。敏感度高的設(shè)備抗擾...
2022-06-20
電磁干擾 電子線路 設(shè)計布局
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貿(mào)澤推出2022 Empowering Innovation Together系列第三期探索打造安全設(shè)計的重要性
2022年6月17日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布推出其備受好評的Empowering Innovation Together?計劃的新一期內(nèi)容。在“實現(xiàn)更高安全性的設(shè)計”這一期,貿(mào)澤探討了在設(shè)計過程中的每個階段融入安全性的重要性,從架構(gòu)選擇和組件挑...
2022-06-17
貿(mào)澤電子 安全設(shè)計
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凌華科技發(fā)布AES-100 邊緣智能服務(wù)器
中國上海 – 2022年6月16日,全球領(lǐng)先的邊緣計算解決方案提供商—凌華科技推出基于華為Ascend Atlas200的全新邊緣智能服務(wù)器AES-100,突破固有服務(wù)器的設(shè)計理念,采用分布式AI節(jié)點加彈性靈活的處理器設(shè)計方案,可在緊湊的1U空間內(nèi)布置多路邊緣處理單元,也可以根據(jù)場景和需求不同搭配不同的CPU模塊,...
2022-06-16
凌華科技 AES-100 服務(wù)器
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代,門極電壓的選擇比較統(tǒng)一,無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域,還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑,提供些有用的參考。
2022-06-15
SiC MOSFET 門極電壓
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適合工業(yè)應(yīng)用的魯棒SPI/I2C通信
對于控制器和外設(shè)之間的短距離電路板內(nèi)連接,串行外設(shè)接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事實上的通信標準。由于存在廣泛的硬件和軟件支持,SPI和I2C已被傳感器、執(zhí)行器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器制造商廣泛采用。當控制器和外設(shè)位于同一電路板上、共享同一接地層且相距不遠(不大于1米)時...
2022-06-14
工業(yè)應(yīng)用 SPI ADI
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手機無線充電器壞了
對于手邊的一款外部引線斷裂的蘋果手機無線充電器進行拆卸,觀察其內(nèi)部電路工藝設(shè)計。但是由于電路上主要芯片型號文字顯示不清,故此對于其主要工作原理尚不清楚。
2022-06-14
手機 無線充電器
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路,對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路,對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路,對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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