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Picor Micro-Ohm MOSFET 場效應(yīng)管

文件來源:Foo Kee-?;娮佑邢薰?br> 文件類型:pdf
更新時間:2012-12-19
文件大小:149K
PI5101 μRDS(on)FET? 方案結(jié)合了一個高質(zhì)素的5V, 360 μΩ 橫向N 溝道的場效應(yīng)管和利用一個祗有4.1mm x 8mm x 2mm 的LGA(Land Grid Array)封裝, 使產(chǎn)品于工業(yè)標準的SO-8封裝范圍內(nèi)達到世界級水平.
本文鏈接:http://m.scxlhb.com.cn/gptech-dl/988
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