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安森美智能電源產(chǎn)品斬獲中國“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”多項(xiàng)殊榮
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布其創(chuàng)新的智能電源產(chǎn)品在“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”評選中榮獲多項(xiàng)獎(jiǎng)項(xiàng)。其中，APM32系列汽車碳化硅功率模塊獲“2022 Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”，汽車主驅(qū)碳化硅功率模塊VE-Trac? Direct SiC獲“最佳應(yīng)用獎(jiǎng)”，高功率圖騰柱PFC控...
2022-12-13
安森美 智能電源
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如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力
終端用戶希望新的電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)能夠最大限度地減少車輛的空閑時(shí)間，尤其是在長途駕駛中。電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)人員需要提高充電器的功率輸出、功率密度和效率，以實(shí)現(xiàn)終端用戶期望的快速充電。目前，單個(gè)單元充電器的設(shè)計(jì)范圍是從7千瓦到30千瓦。將單個(gè)單元元件組合到模塊化設(shè)計(jì)中可以增加功率輸出，幫助充電...
2022-12-13
面貼裝功率器件 電動(dòng)汽車電池
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800V高壓BMS：如何做到系統(tǒng)架構(gòu)升級(jí)，組件成本下降？
各種電池結(jié)構(gòu)都有其固有的優(yōu)缺點(diǎn)。汽車OEM廠商需要分析并確定哪種架構(gòu)更適合自己的生產(chǎn)模式，同時(shí)保持系統(tǒng)價(jià)格競爭力。使用兩個(gè)獨(dú)立的400V電池是解決這一挑戰(zhàn)的創(chuàng)新性解決方案。
2022-12-13
BMS 系統(tǒng)架構(gòu) 組件成本
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不同功率器件在充電樁三相LLC拓?fù)渲械膽?yīng)用探討
近年來新能源汽車發(fā)展迅速，對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求?；谌郘LC變換器技術(shù)的30千瓦功率模塊單元性能更優(yōu)，可以滿足現(xiàn)有的市場需求。基于30千瓦三相LLC變換器常見的母線電壓等級(jí)800V，對于650V和1200V器件存在兩種不同的拓?fù)浞桨浮Ｎ恼箩槍@兩類拓?fù)溥M(jìn)行參數(shù)設(shè)計(jì)，選取...
2022-12-13
功率器件 充電樁 LLC拓?fù)?/p>
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。
2022-12-13
SiC MOSFET 寄生電容 高頻電源
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英飛凌優(yōu)化DC-DC設(shè)計(jì)，滿足新一代數(shù)據(jù)中心的性能與能耗需求
可提供優(yōu)質(zhì)體驗(yàn)、創(chuàng)造全新商業(yè)模式的AI、5G、物聯(lián)網(wǎng)等新技術(shù)，近幾年的落地速度不斷加快。上述新技術(shù)背后都需要有性能強(qiáng)大的數(shù)據(jù)中心提供支持，不過伴隨著強(qiáng)大算力與傳輸功能而來的便是高能耗。英飛凌指出，龐大的能源消耗帶來的不只是電費(fèi)的增加，還有與日俱增的ESG壓力，因此企業(yè)必須在使用高性能...
2022-12-12
英飛凌 DC-DC設(shè)計(jì) 數(shù)據(jù)中心
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RS瑞森低壓MOS在電動(dòng)車控制器中的應(yīng)用
電動(dòng)車最初是用來替代自行車和摩托車，由于其具有便捷、經(jīng)濟(jì)環(huán)保等特點(diǎn)，很快便占據(jù)了龐大市場，并逐漸發(fā)展了電動(dòng)三輪車、小型電動(dòng)工程車、電動(dòng)觀光車等各種類型的電動(dòng)車。
2022-12-12
RS瑞森 低壓MOS 電動(dòng)車控制器
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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導(dǎo)通時(shí)的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)的行為。
2022-12-12
柵極-源極 關(guān)斷時(shí)
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固態(tài)硅芯片數(shù)字化交流電源轉(zhuǎn)換
消費(fèi)類應(yīng)用的電源適配器和充電器通常由變壓器和其他無源元件組成，它們連接到電路板上的有源元件，以將輸入的交流信號(hào)轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓。AmberSemi 是一家位于加利福尼亞州都柏林的無晶圓廠半導(dǎo)體公司，正在研究通過基于固態(tài)硅的解決方案將輸入交流電源的感應(yīng)、控制和功率轉(zhuǎn)換數(shù)字化的技術(shù)。
2022-12-09
固態(tài)硅芯片 交流電源 數(shù)字化
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