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使用 IGBT模塊簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和逆變器的設(shè)計(jì)
電機(jī)和逆變器的使用在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能、白色家電和電動(dòng)工具等應(yīng)用中日漸增長(zhǎng)。隨著這種增長(zhǎng)是對(duì)提高效率、降低成本、縮小封裝和簡(jiǎn)化整體設(shè)計(jì)的需求。雖然使用分立式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 設(shè)計(jì)定制電機(jī)和逆變器功率電子器件以滿(mǎn)足特定要求很有誘惑力，但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，這樣做的成本很高，而且會(huì)延誤設(shè)計(jì)進(jìn)度。
2020-12-28
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具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。
2020-12-16
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更高能效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)驅(qū)動(dòng)模塊和開(kāi)箱即用的電機(jī)開(kāi)發(fā)套件
功率集成模塊(PIM)被廣泛用于驅(qū)動(dòng)、泵、暖通空調(diào) (HVAC)、能源轉(zhuǎn)換等各個(gè)領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)對(duì)能源的調(diào)制及高效利用。安森美半導(dǎo)體的創(chuàng)新的壓鑄模PIM (TMPIM)，集成最佳的IGBT / FRD技術(shù)，采用可靠的基板和環(huán)氧樹(shù)脂壓鑄模技術(shù)，比普通的凝膠填充功率模塊提高熱循環(huán)使用壽命10倍，提高功率回環(huán)使用壽命3倍，有利于逆變器系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高能效、更長(zhǎng)的使用壽命及更高可靠性，適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵、風(fēng)扇、熱泵、HVAC、伺服控制等多種應(yīng)用。
2020-12-09
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隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的峰值電流
當(dāng)考慮使用何種柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，一個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題是：驅(qū)動(dòng)器可以提供的峰值電流是多少？峰值電流是柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)中最重要的參數(shù)之一。此指標(biāo)一般被視為決定柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的終極因素。MOSFET/IGBT的導(dǎo)通、關(guān)斷時(shí)間與柵極驅(qū)動(dòng)器可以提供的電流有關(guān)，但并不能說(shuō)明全部問(wèn)題。峰值電流一詞在業(yè)界使用非常普遍，許多柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)的標(biāo)題中包含這一術(shù)語(yǔ)。盡管如此，其定義還是會(huì)因器件而異。本文討論為特定應(yīng)用選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)使用峰值電流作為決定性因素的問(wèn)題，并比較數(shù)據(jù)手冊(cè)中一些較常見(jiàn)的峰值電流表示形式。本文對(duì)標(biāo)題中峰值電流數(shù)值相似的柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行了比較，并對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度做了討論。
2020-12-02
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雙電壓整流電路設(shè)計(jì)，IGBT模塊適用于整流電路嗎？
不用兩個(gè)整流橋。用一個(gè)即可，把2個(gè)18伏交流接到整流橋的交流輸入端，把變壓器抽頭0伏接地線（線路板的地線），整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波，電容器2個(gè)串聯(lián)之后正極接整流橋正極+，電容器負(fù)極接整流橋負(fù)極-，2個(gè)串聯(lián)的電容器中間引出一根線接地線，也就是雙18伏交流的抽頭，這樣就可以在直流輸出端得到正負(fù)20伏的雙電源了。
2020-11-26
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GaN基電源性能的簡(jiǎn)易測(cè)試技術(shù)
今天，大多數(shù)電源路線圖都將GaN晶體管作為一個(gè)關(guān)鍵平臺(tái)集成到其中。與Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比，GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)意味著工程師們正在將它們廣泛地設(shè)計(jì)到他們的系統(tǒng)中。然而，GaN晶體管在開(kāi)關(guān)電源中的這些進(jìn)步也使得表征這些電源的性能變得越來(lái)越具有挑戰(zhàn)性。在半橋上測(cè)量高邊VGS是診斷晶體管交叉導(dǎo)通的一種傳統(tǒng)方法，對(duì)于基于GaN的設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。典型的解決方案是使用高成本的測(cè)量設(shè)備，這并不總是產(chǎn)生有用的結(jié)果。本文介紹了一種利用GaN晶體管的獨(dú)特特性測(cè)量交叉導(dǎo)通的簡(jiǎn)單而經(jīng)濟(jì)的方法。
2020-11-03
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如何使用Fly-buck為低電壓、低功耗工業(yè)應(yīng)用供電
有些工業(yè)應(yīng)用中包含分支電路，需要小型電源為跨隔離邊界的噪聲敏感型電路供電。在 PLC、數(shù)據(jù)采集以及測(cè)量設(shè)備等應(yīng)用中，該隔離邊界可提供抗噪功能。需要這種隔離式電源的典型分支電路包括隔離式 RS-232 和 RS-485 通信通道、線路驅(qū)動(dòng)器、隔離式放大器、傳感器以及 CAN 收發(fā)器。此外，我們?cè)谄渌鼞?yīng)用中也發(fā)現(xiàn)了類(lèi)似的電源需求，它們需要隔離式電源為 IGBT 提供柵極驅(qū)動(dòng)器電源，而且在一些醫(yī)療應(yīng)用中也需要隔離技術(shù)來(lái)確保安全性。
2020-09-18
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電動(dòng)汽車(chē)空調(diào)的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)——IGBT
ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)、且具有1200V 和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗，有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并實(shí)現(xiàn)小型化，是電動(dòng)壓縮機(jī)的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-08-10
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門(mén)極驅(qū)動(dòng)器方案–––即插即用快速評(píng)估和測(cè)試
電力電子在當(dāng)今世界無(wú)處不在：半導(dǎo)體的隱藏功能，可實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用，從家電和消費(fèi)品到數(shù)據(jù)處理和無(wú)線網(wǎng)絡(luò)，再到日趨電子化的汽車(chē)。電力電子系統(tǒng)以極高能效在交流和直流形式之間以及直流電壓之間轉(zhuǎn)換電力，從而使更多的電能流向最終應(yīng)用。電源轉(zhuǎn)換的主要?jiǎng)恿κ情_(kāi)關(guān)：功率MOSFET、IGBT、寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體器件、SiC MOSFET和氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。在大多數(shù)拓?fù)渲校@些晶體管以kHz至MHz的頻率開(kāi)和關(guān)。
2020-08-10
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一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置！
在設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)模式電源時(shí)，主要品質(zhì)因數(shù)（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個(gè)FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開(kāi)關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會(huì)增加磁性元件的損耗和功率器件中的開(kāi)關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒(méi)有二極管反向恢復(fù)，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器不斷變化的格局
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出 現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系 統(tǒng)。更高的開(kāi)關(guān)頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺 寸和重量；這些是汽車(chē)和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率 開(kāi)關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本 文將探討GaN和SiC開(kāi)關(guān)與IGBT/MOSFET的一些主要差異，以及柵 極驅(qū)動(dòng)器將如何為這些差異提供支持。
2020-08-04
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如何利用IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計(jì)？
反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計(jì)需要考慮各種因素。其中一些與自身技術(shù)相關(guān)，其它的與應(yīng)用相關(guān)。但是，正向壓降Vf 、反向恢復(fù)電荷Qrr 以及Rth與Zth散熱能力 終將構(gòu)成一種三角關(guān)系。
2020-07-27
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